Hochmodulations-Effizienz Silizium Mach-Zehnder-Optischer Modulator basierend auf Trägerschaltung in einer PN-Diode

Wir präsentieren einen Hochphasenverschiebungs-Effizienz Mach-Zehnder Silizium-Optischen Modulator, der auf dem Trägerschaltungs-Effekt in einer hochdotierten PN-Diode mit einem kleinen Wellengleiter-Querschnittsbereich basiert. Der hergestellte Modulator zeigt ein V(pi)L(pi) von 1,8 V x cm und Phasenverschieberverlust von 4,4 dB/mm. Ein Gerät mit einem 750 Mikrometer langen Phasenverschieber zeigt eine Augeneröffnung bei 12,5 Gbps mit einem Auslöschungsverhältnis von 3 dB. Außerdem wird ein Auslöschungsverhältnis von 7 dB bei 4 Gbps für ein Gerät mit einem 2 mm langen Phasenverschieber erreicht. Eine weitere Verbesserung des Auslöschungsverhältnisses bei höheren Betriebs Geschwindigkeiten kann durch den Einsatz eines Laufwellen-Elektroden-Designs und der optimalen Dotierung erzielt werden.