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Wir beschreiben einen nanometerskaligen Schalter, der einen Kupfersulfidfilm verwendet, und demonstrieren seine Leistung. Der Schalter besteht aus einem Kupfersulfidfilm, der ein Chalcogenid-Halbleiter ist, der zwischen Kupfer- und Metallelektroden eingeschlossen ist. Das Anlegen einer positiven oder negativen Spannung an die Metallelektrode kann die Leitfähigkeit wiederholt in weniger als 100 μs umschalten. Jeder Zustand kann monatelang ohne Stromversorgung bestehen bleiben, was die Machbarkeit von nichtflüchtigem Gedächtnis mit nanoskaligen Dimensionen demonstriert. Während des Biasvorgangs können Kupferionen im Kupfersulfidfilm migrieren und spielen eine wichtige Rolle beim Umschalten.
Sakamoto et al. (Thu,) untersuchten diese Frage.
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