In1−xGaxP (x∼0.63) Laser, der in der flüssigen Phase epitaxial (LPE) gewachsen ist, mit einer Wellenlänge von λ∼5900 Å (2,10 eV, 77°K)

Der Laserbetrieb (77 °K) von In1−xGaxP LPE p-n Übergängen wird bei λ∼5900 Å (2,10 eV, gelb) demonstriert. Die Übergänge werden durch sequenzielles Wachstum (auf GaAs1−yPy Substraten) zuerst einer n-Typ-Schicht und dann einer Zn-dotierten p-Typ-Schicht (nicht kompensiert) hergestellt. Während des Wachstums der p-Typ-Schicht diffundiert Zn leicht (bei verringerter Konzentration) in die erste Schicht und erzeugt eine dünne kompensierte aktive Schicht. Die resultierende Struktur ähnelt in ihrer Funktionsweise dem Verhalten einer einzelnen Heterojunktion. Obwohl die Schwellenspannung für den Laserbetrieb dieser Geräte ziemlich hoch ist, wird dennoch demonstriert, dass In1−xGaxP LPE gewachsene Übergänge als Laser betrieben werden können und außerdem bei Wellenlängen λ ≲ 5900 Å.