Leitfähige Brücken-RAM (CBRAM): eine aufkommende nicht-flüchtige Speichertechnologie, die skalierbar auf unter 20 nm ist

Wir berichten über die elektrische Charakterisierung nanoskaliger leitfähiger Brücken-Speicherzellen, die aus einer dünnen festen Elektrolyt-Schicht bestehen, die zwischen einer oxidierbaren Anode und einer inertem Kathode eingeschlossen ist. Der Betrieb im Niedrigenergiewiderstandsschalter, das große Skalierungspotenzial einschließlich Multi-Level-Fähigkeit (MLC) und die untersuchten Zuverlässigkeitsaspekte, wie die Speicherung bei erhöhter Temperatur, Betriebstemperatur und Lebensdauer, machen CBRAM zu einer sehr vielversprechenden nicht-flüchtigen aufkommenden Speichertechnologie.