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Dieser Prozessor der vierten Generation kombiniert zwei verbesserte Kerne der dritten Generation unter Verwendung einer fortschrittlichen 90-nm-Dual-Vt-, Dual-Gate-Oxid-Technologie. Hardwareergänzungen umfassen erweiterte Caches und die Einbeziehung eines 2-MB-Level-2-Cache und eines Level-3-Tags. Das Layout wurde vollständig neu gezeichnet, um das Design für Fertigung und Leistung in der neuesten Technologie zu optimieren. Besonderer Wert wurde auf die Bibliotheksentwicklung gelegt, um die Automatisierung zu verbessern und bei benutzerdefinierten Designs zu unterstützen. Die Methoden zur Speicherentwurf wurden vollständig aktualisiert, um qualitativ hochwertiges Design einfacher und robuster zu gestalten. Der Chip arbeitet mit 1,8 GHz und dissipiert 90 W Leistung bei 1,1 V.
Hart et al. (Mi,) untersuchten diese Frage.
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