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Al₂O₃-basierte RRAM-Bauelemente wurden mithilfe von Atomlagenabscheidung bei Abscheidetemperaturen von 100°C und 300°C hergestellt, und ihr Widerstandswendeverhalten wurde untersucht. Beide Bauelemente zeigen unipolares Schalten, wenn die obere Elektrode (TE) aus Ti/Al besteht, während das bipolare Phänomen beobachtet wird, wenn die TE aus reinem Aluminium besteht. Bei höheren Temperaturen gefertigte Bauelemente bieten eine bessere Uniformität und ein höheres Widerstandsverhältnis. Ein ultraniedriger RESET-Strom (~1 μA) wurde zusammen mit einer angemessenen Spannungsreserve erzielt.
Wu et al. (Mittwoch) haben diese Frage untersucht.
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