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Die Autoren untersuchten das resistive Schalten von Übergangsmetalloxid (TMO)-Übergängen durch Anwendung eines kurzen Spannungspulses und stellten fest, dass die Reaktionszeit des "Reset"-Prozesses von dem Widerstand im niederohmigen Zustand abhing. Durch die Verwendung einer thermischen Leitfähigkeitsgleichung zur Berechnung der Temperatur des filamentären Leitungsweges im TMO-Film wurde geschätzt, dass die Temperatur im Reset-Prozess bei jedem Reset die gleiche Temperaturstufe erreicht. Auf dieser Basis wird die vorherige experimentelle Beziehung gut erklärt, indem ein allgemeines thermisch-chemisches Reaktionsmodell für den Reset-Prozess angenommen wird.
Sato et al. (Mon,) untersuchten diese Frage.