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Der amorphe zu kristalline Übergang im Halbleiter GaSb wurde als Aufzeichnungsmechanismus für einmal beschreibbare optische Speicherung untersucht. Amorphe, als-deponierte Filme mit einer Dicke von 100 nm werden lokal durch einen fokussierten Laserstrahl in den kristallinen Zustand transformiert. Dieser Aufzeichnungsprozess kann innerhalb von 10 ns abgeschlossen werden. Die Dimensionen der kristallinen Markierungen können präzise kontrolliert werden. Optische Speichermedien auf Basis von GaSb sind geeignet für die archivische Speicherung von Informationen, die nach dem Compact-Disc-Format moduliert sind.
Gravesteijn et al. (1987) untersuchten diese Frage.