Hochspannungs-AlN-Schottky-Barriere-Dioden auf massiven AlN Substraten durch MOCVD

Zusammenfassung Diese Mitteilung berichtet über die Demonstration von Aluminium-Nitrid (AlN) Schottky-Barriere-Dioden auf massiven AlN-Substraten durch metallorganische chemische Dampfphasenabscheidung mit Durchbruchspannungen von über 3 kV. Die Geräte zeigten gute gleichrichtende Eigenschaften mit ON/OFF-Verhältnissen von 10^6–10^8 und hervorragender thermischer Stabilität von 298 bis 623 K. Die Schottky-Barrierehöhe des Geräts stieg von 0,89 auf 1,85 eV, und der Idealitätsfaktor fiel von 4,29 auf 1,95 mit zunehmender Temperatur, was auf die inhomogene Metall/AlN-Oberfläche zurückzuführen ist. Diese Arbeit zeigt das Potenzial von AlN als ultrabreitbandigen Halbleiter zur Entwicklung von mehr-kV AlN Hochspannungs- und Hochleistungsgeräten.