Proceso de adelgazamiento no uniforme de silicio en la parte posterior de bordes a centro usando gas de bajo potencial de calentamiento global para memoria de alto ancho de banda (HBM)

RESUMEN El grabado convencional basado en SF 6 en el embalaje de HBM enfrenta bajo rendimiento y ruptura de bordes debido al mal control del perfil y al alto GWP. Para abordar esto, se propone una estrategia de múltiples pasos utilizando ClF 3, IF 7, y C 4 F 6. Mientras que ClF 3 permite un adelgazamiento eficiente, una combinación de ClF 3/IF 7/C 4 F 6 con un campo magnético localizado modula con precisión el perfil del borde de la oblea. Los diagnósticos de plasma muestran que IF 7 induce la captura de electrones, reduciendo la reactividad del plasma a través de especies de yodo para prevenir el sobregrabado en la periferia. Este enfoque asegura un alto rendimiento, daño superficial mínimo y perfiles de silicio personalizados. En última instancia, esta química de bajo GWP proporciona una alternativa sostenible y de alto rendimiento al SF 6, cumpliendo con los estrictos requisitos mecánicos y ambientales para la integración de HBM de próxima generación.