Índices de refracción de aleaciones ternarias AlxGa(1−x)As crecidas por epitaxia de haz moleculares (MBE) en la región de longitud de onda transparente

Una serie de aleaciones ternarias AlxGa(1−x)As fueron cultivadas mediante epitaxia de haz molecular (MBE) en el rango de composición tecnológicamente relevante, x 0.45, y caracterizadas utilizando espectroscopia de elipsometría para proporcionar valores precisos del índice de refracción en la región de longitud de onda por debajo del bandgap. Se presta atención particular a las longitudes de onda de telecomunicaciones en la banda O y la banda C alrededor de 1.3 µm y 1.55 µm, así como a 825 nm. MBE ofreció una precisión muy alta para los espesores de capa cultivados, y las composiciones precisas de las aleaciones y los valores del bandgap fueron confirmados mediante difracción de rayos X de alta resolución y fotoluminiscencia, para mejorar la precisión del ajuste del modelo de índice de refracción. Este trabajo es el primer estudio sistemático para AlxGa(1−x)As crecidas por MBE a través de un amplio rango espectral. Además, empleamos un procedimiento de ajuste de medición muy riguroso, que presentamos en detalle.