Índices de refração de ligas ternárias AlxGa(1−x)As crescidas por MBE na região do comprimento de onda transparente

Uma série de ligas ternárias AlxGa(1−x)As foram crescidas por epitaxia de feixe molecular (MBE) na faixa de composição tecnologicamente relevante, x 0,45, e caracterizadas usando elipsometria espectroscópica para fornecer valores precisos do índice de refração na região de comprimento de onda abaixo do bandgap. A atenção especial é dada aos comprimentos de onda de telecomunicações da banda O e da banda C em torno de 1,3 µm e 1,55 µm, bem como em 825 nm. A MBE proporcionou uma precisão muito alta para as espessuras das camadas crescidas, e as composicoes precisas das ligas e valores de bandgap foram confirmados usando difração de raios-X de alta resolução e fotoluminescência, para melhorar a precisão do ajuste do modelo de índice de refração. Este trabalho é o primeiro estudo sistemático para AlxGa(1−x)As crescido por MBE em uma ampla faixa espectral. Além disso, empregamos um procedimento de medição e ajuste muito rigoroso, que apresentamos em detalhes.