Absorción de luz infrarroja por portadores libres en germanio

Se ha medido la absorción de luz infrarroja asociada con la presencia de portadores libres en germanio al inyectar estos portadores a través de una unión p-n a temperatura ambiente. Se encuentra que la absorción es proporcional a la concentración de portadores. La absorción como función de la longitud de onda muestra los mismos máximos bastante agudos observados previamente en germanio tipo p normal. Se encuentra que estas bandas cambian con la temperatura. Se ofrece una explicación de esta absorción en términos de un esquema de banda de energía degenerada.