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Formulamos un modelo químico de defectos consistente sobre el efecto de recocidos en aire/O2 en dispositivos CdS/CuInSe2. El modelo se centra en la neutralización inducida por O de los estados donadores (cercanos) a la superficie en los granos de CuInSe2. La identificación más sencilla de estos estados es con vacantes de Se ionizadas, debido a la saturación coordinativa insuficiente de In en las superficies y límites de los granos.
Cahen et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.