Un nuevo dispositivo de memoria ferroeléctrica, transistor metal-ferroelectric-semiconductor

El efecto de campo ferroeléctrico se ha demostrado con éxito en un semiconductor en bloque (silicio) utilizando una fina película ferroeléctrica de titanato de bismuto (Bi 4 Ti 3 O 12) depositada sobre él mediante pulverización catódica por RF. Se ha fabricado un nuevo dispositivo de memoria, el transistor metal-ferroelectric-semiconductor (MFST). Este dispositivo utiliza la polarización remanente de una película delgada ferroeléctrica para controlar la conductividad superficial de un sustrato de semiconductor en bloque y realizar una función de memoria. Las características de capacitancia-tensión de la estructura metal-ferroelectric-semiconductor se emplearon para estudiar el comportamiento de la memoria. Se presentan los detalles del estudio junto con los resultados preliminares sobre el MFST.