Mecanismo de conmutación localizado en la conmutación resistiva de películas delgadas de TiO2 depositadas en capas atómicas

Se investigó el mecanismo de conmutación de resistencia de las películas de TiO2 bajo modo de barrido de voltaje. A partir del conjunto suave observado de la muestra Pt∕TiO2∕Pt y del comportamiento de conmutación dependiente de la polaridad de la muestra Ir(O)∕TiO2∕Pt, se identificaron la ruptura y la recuperación local de filamentos conductores cerca de la interfaz del ánodo como el mecanismo de conmutación. Esto es consistente con la observación reciente de los autores K. Kim et al., Electrchem. Solid-State Lett. 9, G343 (2006) de la propiedad de conmutación de resistencia de multiláminas Al2O3∕TiO2, donde la conmutación estaba controlada por la capa cercana al ánodo. Parece que la mayor parte de los filamentos se preservan durante la conmutación y solo una pequeña porción de la película cerca del ánodo contribuye a la conmutación.