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Ce travail vise à estimer la température de jonction du Transistor à Effet de Champ Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET), en estimant en temps réel la résistance dynamique drain-source pendant le fonctionnement du MOSFET dans des convertisseurs LLC (Inducteur-Inducteur-Capaciteur) généralement adoptés dans les alimentations à découpage. La tâche est réalisée à l'aide d'un circuit de mesure de tension en état actif qui permet de limiter la haute tension drain-source pendant l'état off. Les résultats de cette méthode ont été comparés à la température mesurée avec précision à l'aide d'une puce co-emballée en tant que capteur thermique.
Ventimiglia et al. (Mer,) ont étudié cette question.