Photodiodes Schottky asymétriques géométriquement en MoSe2 2D

Résumé Les dispositifs optoélectroniques basés sur une architecture asymétrique géométrique ont récemment suscité de l'intérêt en raison de leurs performances élevées en tant que photodétecteurs et de leur processus de fabrication simple. Ici, un photodétecteur en MoSe2 2D de type p basé sur des contacts asymétriques géométriques est rapporté pour la première fois. Le dispositif présente un rapport de redressement de courant élevé d'environ 10^4 et une grande responsivité en photovoltage auto-alimentée d'environ 4,38 × 10^7 V W^−1, ainsi qu'une responsivité maximale de photocourant d'environ 430 mA W^−1 avec un temps de réponse d'environ 2,3 ms sous une longueur d'onde de 470 nm à une tension de polarisation de 3 V. La responsivité en photocourant est encore améliorée à une responsivité ultrahigh d'environ 1615 mA W^−1 en appliquant une tension de polarisation de grille en raison de la modulation électrostatique de la concentration de porteurs dans le canal MoSe2. Le processus de fabrication simple des diodes MoSe2 asymétriques géométriquement, combiné à leurs hautes performances de détection de photons et de redressement, en fait d'excellents candidats pour des applications électroniques et optoélectroniques.