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Le germanium est un matériau polyvalent pour la réalisation de l'informatique quantique spin et topologique. Ici, nous rapportons sur la croissance épitaxiale d'une hétérostructure Ge/SiGe non dopée dans laquelle un puits quantique de trous est formé dans la couche de Ge sandwichée. L'hétérostructure est croisée sur Si (001) via épitaxie par faisceau moléculaire (MBE). Les caractérisations par microscopie à force atomique montrent une surface plate avec une rugosité quadratique moyenne de 0,956 nm, et les données de microscopie électronique en transmission corrigées pour aberration sphérique montrent une interface précise avec une longueur caractéristique de 0,49 nm. Une mobilité allant jusqu'à 1,2 × 10^5 cm2 V−1 s−1 a été atteinte dans le gaz de trous bidimensionnel SiGe/Ge/SiGe (2DHG). Une faible densité de percolation de 3,70 × 10^10 cm−2, une masse effective légère de 0,079 m0 (où m0 est la masse de l'électron libre), et un grand facteur g effectif de 9,5 ont été obtenus. Ces résultats montrent le potentiel du 2DHG de Ge croisé par MBE pour l'informatique quantique à semi-conducteurs.
Zhang et al. (Mon,) ont étudié cette question.