Propriétés redox des points quantiques CdSe et CdSe–ZnS en solution

Les points quantiques semi-conducteurs (QDs) sont des nanoparticules inorganiques qui, en raison de leurs propriétés électroniques uniques dépendantes de la taille, présentent un intérêt potentiel élevé pour la construction de nanodispositifs fonctionnels. Le transfert d'électrons photoinduit est un mécanisme polyvalent utilisé pour mettre en œuvre des fonctionnalités induites par la lumière dans des assemblages (supra)moleculaires multicomposants. En effet, les QDs peuvent être utilisés en tant que composants actifs dans de nouvelles générations de ces systèmes. La conception raisonnée de cette dernière nécessite cependant une connaissance préalable des propriétés photo-physiques et des potentiels redox des nanocristaux. Ici, nous discutons des résultats d'investigations électrochimiques systématiques récentes visant à comprendre les facteurs structurels qui régulent les propriétés redox des QDs à noyau CdSe et des QDs à structure en coquille CdSe–ZnS.