Conception et analyse de performance d'un transistor à effet de champ à double grille à rétroaction (DG FBFET) en hétérostructure Si/Si1–x Gex/Si tendue en trois couches

Résumé Ce travail présente la conception et l'analyse de performance d'un transistor à effet de champ à double grille à rétroaction (DG FBFET) en hétérostructure Si/Si1−x Gex/Si tendue en trois couches. Le DG FBFET proposé est conçu en introduisant une contrainte biaxiale dans le dispositif en insérant une couche Si1−x Gex entre deux fines couches de Si, afin d'offrir un courant de conduction élevé ainsi que des caractéristiques de commutation ultra-raides. Le dispositif offre un courant de conduction significativement élevé (3,4 x 10−3 A/μm), un rapport ION/IOFF élevé (≈10^10), une large fenêtre de mémoire de 1,06 V et une très faible pente sous-seuil (≈0,3 μV/décade), ce qui peut être très utile pour des applications de mémoire et neuromorphiques. De plus, la commutation ON/OFF du dispositif a été réalisée à une tension de seuil plus basse (0,287 V), permettant son utilisation dans l'électronique basse consommation. L'outil Synopsys TCAD a été utilisé pour créer la structure du dispositif et analyser les performances électriques du dispositif.