Key points are not available for this paper at this time.
Les cellules solaires TOPCon des deux côtés représentent un candidat intéressant pour une cellule de fond en silicium (Si) hautement efficace et thermiquement robuste pour des dispositifs en tandem, tels que les cellules solaires pérovskite-Si. Cependant, la préparation du TOPCon p-type sur une surface texturée est nécessaire, ce qui est particulièrement défiant. Ce travail vise à approfondir la compréhension des facteurs limitants et ainsi optimiser le contact SiOx/poly-Si(p) pour réduire l'écart avec son homologue n-type. En utilisant des échantillons à durée de vie symétrique, nous montrons d'abord qu'un niveau élevé de passivation de surface peut être atteint grâce à des oxydes interfaciels croissants par thermique de différentes épaisseurs. Les échantillons bénéficient fortement d'une activation thermique efficace de l'hydrogénation par le biais d'un chauffage rapide. Ainsi, une densité de courant de recombinaison J0 aussi basse que 23,4 fA/cm² a été atteinte pour le TOPCon p-type sur surface texturée avec une couche de poly-Si dopé au bore in situ préparée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). De plus, nous montrons que la qualité de la passivation dépend fortement de la morphologie de surface. L'adoucissement des vallées des pyramides aléatoires et – ce qui est plus – des pointes a un impact positif sur la passivation de surface.
Polzin et al. (Jeu,) ont étudié cette question.