Effet Hall topologique drivé par l'interface dans le bilayer SrRuO 3 -SrIrO 3

Le transport électronique couplé au magnétisme a attiré l'attention au fil des ans. Parmi eux, l'effet Hall topologique (THE) récemment découvert, provenant de la chiralité de spin scalaire, c'est-à-dire l'angle solide sous-tendu par les spins. Il a été constaté que le THE est un outil prometteur pour sonder l'interaction de Dzyaloshinskii-Moriya (DM) et les skyrmions magnétiques qui en résultent. Cette interaction découle de la symétrie d'inversion rompue et peut donc être introduite artificiellement à l'interface ; ce concept a récemment été vérifié dans des multicouches métalliques. Cependant, il y a peu de tentatives d'investigation de cette interaction DM à l'interface à travers le transport électronique. Nous avons clarifié comment les propriétés de transport se couplent à l'interaction DM à l'interface en fabriquant l'interface d'oxyde épitaxial. Nous avons observé le THE dans des bilayers épitaxiaux composés de SrRuO3 ferromagnétique et de SrIrO3 paramagnétique sur une large région de température et de champ magnétique. L'intensité du THE diminue rapidement avec l'épaisseur de SrRuO3, suggérant que l'interaction DM à l'interface joue un rôle significatif. Une telle interaction devrait permettre de réaliser un skyrmion magnétique de type Néel de 10 nm de taille. Les résultats actuels ont établi que l'interface d'oxyde de haute qualité nous permet de régler l'interaction DM effective ; cela peut être un pas vers l'électronique topologique future.