Un modèle GN sur les interactions photothermiques dans un semi-conducteur en deux dimensions

Le modèle de plasma couplé et d'onde thermo-élastique a été utilisé pour étudier la propagation des ondes dans un demi-espace semi-conducteur en deux dimensions en utilisant l'approche des valeurs propres. En utilisant les transformations de Fourier et de Laplace avec la méthodologie des techniques des valeurs propres, la solution exacte de toutes les quantités physiques est obtenue. Le bord de la surface est dû à un flux de chaleur avec une impulsion qui décroît de manière exponentielle et est considéré comme libre de tractions. Un milieu semi-conducteur tel que le silicium a été étudié. Les résultats ont été vérifiés numériquement et sont représentés graphiquement. Mots-clés : Ondes photo-thermiques, transformations de Laplace-Fourier, approche par valeurs propres.