Dépendance de la température des lignes Raman du silicium

Les spectres Raman à un phonon et à deux phonons ont été mesurés dans la plage de température de 20 à 900 °C. Le taux de diminution des fréquences normalisées avec l'augmentation de la température pour le centre de zone, TO à L et TA à X, est de 5,4×10−5/°C, tandis que pour TO à X et TA à L, il est plus faible, étant de 3,6×10−5/°C. Nous avons également trouvé que l'intensité relative des composants Stokes et anti-Stokes du phonon optique au point Γ dévie significativement de la valeur impliquant uniquement le nombre d'occupation des phonons, en particulier à des températures élevées. La diminution du phonon Γ25′ de 521 cm−1 à 20 °C à 493 cm−1 à 900 °C devrait fournir une détermination sans ambiguïté de la température de surface en raison du chauffage par laser.