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Les synapses électroniques plastiques compactes et économes en énergie sont d'une importance fondamentale pour surmonter les goulets d'étranglement du développement d'une puce neuromorphique. Le mémristor est un fort concurrent parmi les diverses synapses électroniques existantes aujourd'hui. Cependant, les vitesses des événements synaptiques sont relativement lentes dans la plupart des tentatives d'émulation des synapses en raison du mécanisme lié au matériau. Ici, nous avons révélé la mémristance intrinsèque du Ge2Sb2Te5 cristallin stœchiométrique qui provient du piégeage et de la libération de charge par les défauts. Les états de résistance du dispositif, représentant les poids synaptiques, ont été précisément modulés par des impulsions électriques de potentialisation/dépression de 30 ns. Nous avons démontré quatre formes de plasticité dépendante du timing des spikes (STDP) en appliquant des paires d'impulsions de spikes pré- et postsynaptiques programmées dans différentes fenêtres temporelles allant de 50 ms à 500 ns, cette dernière étant 10^5 fois plus rapide que la vitesse de STDP dans le cerveau humain. Cette étude offre de nouvelles opportunités pour construire des systèmes informatiques neuromorphiques ultrarapides et surpasser l'architecture de Von Neumann.
Li et al. (Mon,) ont étudié cette question.