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Créer des interfaces oxydées avec une spécificité chimique précise au niveau de la couche atomique est souhaité pour l'ingénierie des phases quantiques et des applications électroniques, mais cela est très difficile, en partie en raison du manque d'outils in situ pour surveiller la composition chimique et l'intégralité de la couche de surface pendant la croissance. Ici, nous rapportons l'observation in situ des variations du potentiel interne couche par couche en analysant les lignes Kikuchi pendant la croissance épitaxiale du titane de strontium, fournissant une technique puissante en temps réel pour surveiller et contrôler la composition chimique pendant la croissance. Un modèle combinant les effets du potentiel interne moyen et de la densité des bords de marche (rugosité) révèle le mécanisme sous-jacent des oscillations complexes de diffraction d'électrons à haute énergie réfléchies, précédemment mal comprises, observées lors de la croissance interrompue des films oxydés. Des règles générales sont proposées pour guider la synthèse d'interfaces oxydées atomiquement et chimiquement nettes, ouvrant d'immenses opportunités pour l'exploration de phénomènes quantiques intrigants aux interfaces oxydées.
Sun et al. (Mon,) ont étudié cette question.