Borylation C–H méta sélective de substrats stériquement biaisés et non biaisés dirigée par interaction électrostatique

Une borylation méta dirigée électrostatiquement de substrats stériquement biaisés et non biaisés est décrite. La borylation suit une interaction électrostatique entre les charges partiellement positives et négatives entre le ligand et le substrat. Avec cette stratégie, il a été démontré qu'un grand nombre de substrats difficiles, en particulier les substrats 4-substitués, peuvent être borylés sélectivement en position méta. De plus, les substrats non substitués ont également montré une excellente sélectivité méta. La réaction utilise un ligand stable en milieu de travail et se déroule à une température plus douce, excluant le besoin de synthétiser un ligand/template encombrant et sophistiqué.