Key points are not available for this paper at this time.
Nous examinons ici les progrès récents sur le graphène épitaxial cultivé sur un substrat SiC. Le graphène épitaxial peut être facilement cultivé en chauffant le cristal monocristallin de SiC dans un vide élevé ou dans une atmosphère de gaz inerte. Les surfaces de SiC utilisées pour la croissance du graphène contiennent des faces terminées par Si et C. Sur la face Si, un graphène homogène et propre peut être cultivé avec un nombre de couches contrôlé, et la mobilité des porteurs atteint jusqu'à plusieurs m(2) V s(-1), bien que cela soit réduit par la présence des étapes du substrat. Sur la face C, bien que le nombre de couches ne soit pas homogène, un graphène bilayer tordu peut être cultivé, ce qui devrait être la technique de choix pour modifier la structure électronique du graphène. Du point de vue des applications, le graphène sur SiC sera la plateforme utilisée pour fabriquer des dispositifs électroniques à haute vitesse et des réseaux d'arrêts de graphène denses, qui seront utilisés pour introduire un gap de bande.
Norimatsu et al. (Thu,) ont étudié cette question.