Commutation résistive dépendant des défauts structurels dans Cu-O/Si étudiée par microscopie à sonde de Kelvin et microscopie à force atomique conductrice

Dans cette étude, nous montrons la présence ou l'absence de commutation résistive dépendante des défauts structurels dans les films de Cu-O. Nous utilisons la microscopie à sonde de Kelvin et la microscopie à force atomique conductrice pour démontrer la présence de commutation résistive. De plus, le cartographie de courant local fournit des preuves directes sur la formation de filaments à l'échelle nanométrique. Ces résultats correspondent bien au modèle théorique existant sur la commutation résistive. En particulier, comprendre le rôle des défauts structurels dans la commutation résistive peut être considéré comme crucial pour progresser dans la conception de dispositifs de mémoire avancés à l'échelle nanométrique.