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Une nouvelle stratégie est rapportée pour atteindre des transistors à couches minces en métal-oxyde (TFT) à haute mobilité, faible courant de coupure et opérationnellement stables, pouvant être traités en solution, utilisant une structure de canal à hétérojonction corrugée. Le canal à hétérojonction corrugé, ayant des régions de film alternant entre oxydes d'indium-tin-zinc (ITZO)/oxyde d'indium-gallium-zinc (IGZO) fins et ITZO/IGZO épais, permet de régler la concentration d'électrons accumulés dans les états hors et sur du TFT via une modulation de charge dans les régions verticales de l'hétérojonction. Les TFT ITZO/IGZO avec une structure corrugée optimisée présentent une mobilité maximale par effet de champ >50 cm2 V-1 s-1 avec un rapport courant on/off de >108 et une bonne stabilité opérationnelle (décalage de la tension de seuil <1 V pour un stress de polarisation de grille positive de 10 ks, sans passivation). Pour exploiter le mécanisme de conduction sous-jacent des TFT à hétérojonction corrugée, un modèle physique est mis en œuvre en utilisant une variété d'outils de caractérisation chimique, structurelle et électrique et des simulations de conception assistée par ordinateur. Le modèle physique révèle qu'une manipulation efficace de la charge est possible via la structure corrugée, en induisant une concentration de porteurs extrêmement élevée dans les régions de canal vertical à l'échelle nanométrique, permettant des courants de coupure faibles et des courants de conduction élevés en fonction de la polarisation de la grille appliquée.
Lee et al. (Mon,) ont étudié cette question.