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Le sulfure d'étain est largement étudié en tant que matériau de récolte de lumière abondant sur terre, mais les rendements enregistrés pour le SnS sont bien en dessous des limites théoriques. Nous décrivons la synthèse et la caractérisation des sulfures d'étain en cristal unique (SnS, SnS2 et Sn2S3) par transport à vapeur chimique, et combinons les calculs de structure électronique avec des mesures de conductivité micro-ondes résolues dans le temps pour éclairer les propriétés électriques sous-jacentes de chaque matériau. Nous montrons que la coexistence des états d'oxydation Sn(II) et Sn(IV) limiterait la performance du SnS dans les dispositifs photovoltaïques en raison de l'alignement des bandes de valence des phases respectives et de l'"asymétrie" dans le comportement des défauts ponctuels sous-jacents. De plus, nos résultats suggèrent que le Sn2S3, en plus du SnS, est un matériau candidat pour des cellules solaires à film mince à faible coût. © 2013 American Chemical Society.
Burton et al. (Mer,) ont étudié cette question.