Dispositifs de mémoire résistive unipolaire à base de pérovskite organométallique traités en solution haute performance dans une structure en réseau croisé

Les mémoires à accès aléatoire résistives peuvent potentiellement ouvrir un domaine de niche dans les applications de technologie de mémoire en combinant les avantages de la longue endurance de la mémoire dynamique à accès aléatoire et du long temps de rétention des mémoires flash. Récemment, les dispositifs de mémoire résistive basés sur des matériaux de pérovskite organométallique ont démontré des propriétés de mémoire exceptionnelles, telles qu'un fonctionnement à basse tension et un rapport ON/OFF élevé ; ces propriétés sont des exigences essentielles pour une faible consommation d'énergie dans le développement de dispositifs de mémoire pratiques. Dans cette étude, une source de plomb non halogénée est utilisée pour déposer des films de pérovskite via une méthode simple de revêtement par spin en une seule étape pour fabriquer des dispositifs de mémoire résistive unipolaires dans une architecture en réseau croisé. Ces dispositifs de mémoire pérovskite unipolaires atteignent un rapport ON/OFF élevé allant jusqu'à 108 avec une tension de fonctionnement relativement faible, une grande endurance et de longs temps de rétention. La fabrication de dispositifs à haut rendement basée sur le processus en solution démontré ici sera un pas vers la réalisation de dispositifs de mémoire pérovskite pratiques à faible coût et à haute densité.