Propriétés semi-conductrices et autres propriétés majeures de l'arséniure de gallium

Cette revue fournit des informations numériques et graphiques sur de nombreuses (mais loin d'être toutes) les propriétés physiques et électroniques de GaAs qui sont utiles aux personnes engagées dans la recherche expérimentale et le développement sur ce matériau. L'accent est mis sur les propriétés de GaAs lui-même, et la multitude d'effets associés à la présence d'impuretés et de défauts spécifiques est exclue du champ d'application. La géométrie du réseau sphalérite et de la première zone de Brillouin de l'espace réciproque sont utilisées pour ouvrir la voie aux matériaux concernant les modules élastiques, les vitesses du son et les courbes de dispersion des phonons. Une section sur les propriétés thermiques inclut des matériaux sur le diagramme de phases et la courbe de liquidus, le coefficient de dilatation thermique en fonction de la température, le comportement de la chaleur spécifique et de la température de Debye équivalente, ainsi que la conduction thermique. La discussion des propriétés optiques se concentre sur la dispersion de la constante diélectrique à partir de basses fréquences κ0(300)=12,85 jusqu'à la gamme des effets reststrahlen et sur le comportement d'absorption et de réflexion associé. Les informations expérimentales concernant les systèmes de bandes de valence et de conduction, ainsi que sur les gaps intrinsèques directs et indirects, sont utilisées pour développer des approximations applicables pour les poids statistiques Nv(T) et Nc(T), et pour la densité intrinsèque. Les données expérimentales concernant les mobilités des trous et des électrons sont brièvement examinées, tout comme la caractéristique vn(E) pour le système de la bande de conduction.