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Les hétérostructures magnétiques bidimensionnelles (2D) fournissent des plateformes idéales pour manipuler le degré de liberté de spin, explorer les effets de couplage interfacial, et exploiter de nouveaux dispositifs spintroniques. Cependant, la synthèse contrôlée des hétérostructures magnétiques reste un défi, en particulier pour les hétérostructures magnétiques latérales. Ici, nous synthétisons des hétérostructures latérales et verticales magnétiques via déposition chimique en phase vapeur. Les hétérostructures antiferromagnétiques-ferromagnétiques non-van der Waals (vdWs) α-MnSe/Cr2Se3 peuvent être obtenues de manière sélective en ajustant les concentrations de vapeur des précurseurs. Les hétérostructures latérales manifestent des interfaces nettes et sans contaminants sans défauts étendus évidents. De plus, une hétérostructure latérale non-vdWs/non-vdWs à la limite 2D (∼1 nm) est cultivée. Les hétérostructures verticales présentent des superréseaux uniformes et hautement ordonnés, indiquant la haute qualité des superréseaux moirés. Nous appliquons également cette approche de croissance hétéroépitaxiale pour synthétiser des hétérostructures magnétiques non-vdWs/vdWs, y compris α-MnSe/graphène et α-MnSe/MoS2. Notre travail ouvre la voie à la synthèse évolutive d'hétérostructures magnétiques latérales et verticales bidimensionnelles pour des études fondamentales et des applications potentielles de dispositifs.
Hu et al. (Mer,) ont étudié cette question.