Un Memristor basé sur des Nanosheets de MoS2 2H Pur avec une Faible Consommation d'Énergie et un Stockage Linéaire Multiniveau pour un Émulateur de Synapse Artificielle

Résumé Le dichalcogénure de métal de transition (2D) a récemment attiré une attention significative en raison de ses propriétés électriques et optiques uniques. Cependant, les nanosheets de MoS2 fabriqués par des méthodes traditionnelles présentent de mauvaises performances électriques en raison de l'existence de la phase métallique 1T. Un nanosheet de MoS2 pur en phase semi-conductrice 2H, pouvant être traité avec des solutions, est présenté pour être utilisé comme couche fonctionnelle de memristors haute performance. Le memristor résultant basé sur une structure Ag/MoS2/Pt présente d'excellentes propriétés de commutation résistive, notamment une haute endurance et une rétention multiniveau. De plus, la consommation d'énergie et le courant de programmation de l'opération SET peuvent être aussi faibles que 7,35 nW et 100 nA, respectivement. Fait intéressant, il est démontré que la résistance du dispositif Ag/MoS2/Pt peut être modulée bidirectionnellement sur une large plage (nombre d'impulsions >500) avec une tendance approximativement linéaire. En outre, la précision de la reconnaissance de motifs avec des données manuscrites peut atteindre 90,37 %. Ce travail fournit une méthode simple et pratique pour la réalisation de la fabrication de MoS2 pur 2H et son application dans des systèmes de calcul neuronal biologique.