Key points are not available for this paper at this time.
La mémoire à commutation résistive (RRAM) est l'une des technologies les plus prometteuses pour la mémoire de classe stockage (SCM) et la mémoire non volatile intégrée (eNVM). La faisabilité de la RRAM en tant que SCM et/ou mémoire intégrée nécessite un grand rapport on/off, une bonne endurance, une haute rétention et la disponibilité d'un élément de sélection robuste pour l'intégration dans un réseau crossbar. Ce travail présente la RRAM Ti/SiOx avec un rapport on/off élevé (>10^4), une bonne endurance (>10^7), une grande uniformité et une forte rétention (260 °C pendant 1 heure), grâce à la grande bande interdite de SiOx. Les dispositifs Ag/SiOx montrent une commutation volatile avec un rapport on/off élevé (>10^7) et un fonctionnement bidirectionnel applicable aux dispositifs de sélection dans les réseaux crossbar.
Bricalli et al. (jeu,) ont étudié cette question.