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Les formes et énergies d'équilibre des îlots cohérents déformés d'InP cultivés sur GaP ont été étudiées à l'aide d'une approche hybride précédemment appliquée aux îlots d'InAs sur GaAs. Cela combine des calculs des énergies de surface par la théorie de la fonctionnelle de densité et les énergies de déformation en volume par la théorie de l'élasticité continue. Les formes d'équilibre calculées pour différents environnements chimiques exhibent les facettes 101, 111, 111 et une surface supérieure (001). Elles se comparent assez bien aux données récentes de microscopie à force atomique. Ainsi, dans le système InP/GaInP, une dissipation considérable des îlots individuels par rapport à leurs formes peut être atteinte. Nous discutons des implications de nos résultats pour le mûrissement d'Ostwald des îlots cohérents d'InP.
Liu et al. (Mer,) ont étudié cette question.
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