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Une diode à effet tunnel résonant ayant une structure à double barrière AlAs/GaAs/AlAs est conçue pour améliorer le composant de courant d'effet tunnel résonant et pour supprimer le composant de courant excessif qui, selon les croyances, domine le transport à haute température. Sur la base de cette conception, une structure de diode avec des paramètres optimisés est préparée par une croissance épitaxiale par faisceau moléculaire soignée, dans laquelle l'incorporation du dopant dans la couche de puits et les asperités d'interface sont minimisées. Les diodes AlAs/GaAs/AlAs ainsi fabriquées ont montré pour la première fois une résistance négative différentielle à température ambiante.
Tsuchiya et al. (Sat,) ont étudié cette question.