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Les caractéristiques électriques des transistors à effet de champ utilisant du poly(3-hexylthiophène) régio-régulier fondu sont discutées. Nous démontrons que des mobilités à effet de champ élevées (environ 0,045 cm2/V s en mode accumulation et 0,01 cm2/V s en mode appauvrissement), ainsi que des rapports de courant on/off relativement élevés (supérieurs à 10^3) peuvent être atteints. Nous constatons que la qualité du film et la mobilité à effet de champ dépendent fortement du choix des solvants. De plus, traiter un film avec de l'ammoniac ou chauffer à 100 °C sous N2 peut augmenter le rapport on/off sans diminuer la mobilité.
Bao et al. (Mon,) ont étudié cette question.