Key points are not available for this paper at this time.
À l'aide de la diffraction des rayons X à incidence rasante et de la microscopie à effet tunnel (STM), nous montrons que la décomposition thermique d'un wafer de qualité électronique de 6H-SiC après un recuit à des températures TA croissantes entre 1080 et 1320 °C conduit à la croissance couche par couche de graphite monocristallin hétéroépitaxial non contraint. La largeur limitée des profils de tiges de diffraction dans le plan du graphite révèle de grandes terrasses, avec une taille moyenne supérieure à 200 Å et une très faible désorientation azimutale. La couche est non contrainte et adopte le paramètre cristallin du graphite en vrac même à la couverture la plus faible étudiée, correspondant à un seul plan de graphène, comme l'indique le profil de diffraction plat hors du plan. En augmentant TA, des plans de graphène supplémentaires peuvent être croisés en dessous de cette couche de graphite à partir de la décomposition solide du SiC, formant l'empilement AB du graphite Bernal. Un précurseur riche en C est mis en évidence dans le STM par une reconstruction intrinsèque (6×6) composée de structures en anneau ou en étoile ordonnées. Le film épitaxial résultant est indistinguable d'un monocristal de graphite en vrac.
Charrier et al. (Sun,) ont étudié cette question.