Génération de structures de silicium amorphe à l'aide de simulations de dynamique moléculaire

Des états de silicium amorphe ont été générés de manière efficace sur le plan computationnel par trempe de configurations de silicium liquide à l'aide d'une simulation de dynamique moléculaire. Des potentiels interatomiques de Si classiques à deux et trois corps ont été utilisés. Nous présentons des résultats pour les fonctions de distribution radiale, les distributions des angles de liaison, les densités d'états vibrationnels et les fonctions de diffusion neutronique pour les états a-Si générés théoriquement. Les simulations de dynamique moléculaire génèrent des défauts tri- et penta-coordonnés dans les structures a-Si.