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Le cristal unique, CdTe de type n (E_g = 1.4 eV) a été étudié en ce qui concerne la hauteur de barrière, E_B, lors du contact avec une solution électrolytique liquide contenant un réactif redox rapide à un électron, de sphère externe. Nous approchons E_B comme étant égal à la photovoltaique mesurée par voltamétrie cyclique de divers couples redox sur CdTe n illuminé par rapport à une électrode réversible. Les surfaces de n-CdTe prétraitées avec une gravure oxydante donnent un E_B d'environ 0,5 V ± 0,1 V dans H2O/0,1 M NaClO4 ou CH3CN/0,1 M (n-Bu4N)ClO4, indépendant de E_1/2 du couple redox ajouté. Un prétraitement de gravure réductrice donne un E_B dans l'une ou l'autre des solutions électrolytiques qui dépend de E_1/2 du couple redox d'une manière cohérente avec un semi-conducteur presque idéal. Le CdTe réduit présente un E_B atteignant 0,9 V pour un couple redox ayant E_1/2 proche de 0,0 V par rapport à SCE, tandis que les couples ayant E_1/2 négatif d'environ -1,0 V par rapport à SCE donnent une photovoltaique nulle. La spectroscopie Auger et la photoélectronique rayons X des surfaces réduites et oxydées sont qualitativement différentes. La surface réduite présente des signaux pour Cd et Te dans des intensités relatives qui sont cohérentes avec une surface proche d'une stœchiométrie (1/1). La surface oxydée présente peu ou pas de signal Cd détectable et le signal Te est cohérent avec une épaisse couche de Te élémentaire.
Tanaka et al. (Tue,) ont étudié cette question.