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Le silicium cristallin (c-Si) présente deux effets électro-optiques adaptés aux applications de dispositifs dans des modulateurs et des interrupteurs à guide d'onde. Les effets sont l'électro-réfraction et la dispersion des porteurs libres. La dispersion est contrôlée par l'injection électrique ou le dépouillement électrique des porteurs de charge. L'ampleur de ces effets a été calculée dans cet article. Les résultats pour le c-Si sont comparés à ceux du GaAs et de l'InP. Des structures de modulation de phase électro-optique à faible perte dans le c-Si sont proposées ici.
Soref et al. (Tue,) ont étudié cette question.