Transistor à effet de champ fabriqué à partir de nanofibres V2O5 individuelles

Un transistor à effet de champ (FET) avec une longueur de canal d'environ 100 nm a été construit à partir d'un petit nombre de fibres V2O5 individuelles ayant une section transversale de 1,5 nm×10 nm. À basse température, la conductance augmente lorsque la tension de grille passe de valeurs négatives à positives, caractéristique d'un FET avec mode d'amélioration de type n. La mobilité des porteurs, estimée à partir du régime à faible champ, se trouve augmenter de 7,7×10−5 cm2/V s à T=131 K à 9,6×10−3 cm2/V s à T=192 K avec une énergie d'activation de Ea=0,18 eV. La dépendance courant/tension non ohmique à des champs électriques élevés a été analysée dans le cadre de la conduction par saut de petits polaron, ce qui donne une distance de saut entre voisins d'environ 4 nm.