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Les états de vacance dans le Si sont étudiés en utilisant une technique de pseudopotentiel auto-cohérente récemment développée. Trois modèles structuraux différents (idéal et deux reconstructions) pour une vacance neutre sont considérés. Il est constaté que des états de vacance existent dans l'écart thermique du Si pour chaque structure. Le caractère de ces états est principalement de type p localisé sur les quatre atomes entourant la vacance. La vacance idéale (non reconstruite) produit un spectre électronique, qui est instable par rapport aux distorsions de type Jahn-Teller. Les deux modèles de reconstruction différents considérés donnent lieu à des situations stables de Jahn-Teller.
Louie et al. (Sun,) ont étudié cette question.