La surface Si (100) : une étude théorique de la surface non reconstruite

Le potentiel, la densité de charge et le spectre énergétique d'une surface Si (100) idéale non reconstruite sont obtenus de manière auto-consistante. Deux bandes d'états de surface résultant de liaisons de surface rompues sont trouvées dans le gap d'énergie entre les bandes de valence et de conduction. Une bande (largeur de 1 eV) a sa densité électronique localisée autour d'une ligne passant par et normale aux atomes de surface, avec un nœud sur les atomes ; l'autre bande (largeur de 2,5 eV) a sa charge située autour d'une ligne traversant une rangée d'atomes de surface, ayant à nouveau des nœuds sur les atomes de surface. Le rôle de ces états de surface dans la reconstruction de surface ainsi que dans la compréhension du spectre d'états de surface des bandes de surface en marche Si (111) est discuté. Des états de surface supplémentaires au sein de la bande de valence sont trouvés et leur signification est discutée.