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Le tunneling des électrons à travers des états quantifiés dans une couche ultrafine de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) intercalée entre des barrières en silicium nitride stœchiométrique (a-Si₃N₄:H) a été systématiquement étudié. Les caractéristiques I-V ont montré des pics de courant résultant du tunneling résonnant à travers les doubles barrières. La masse effective de l'électron en tunneling est obtenue à 0,6m₀, ce qui est cohérent avec la valeur déterminée à partir des données de la bande optique pour les multicouches a-Si:H/a-Si₃N₄:H.
Miyazaki et al. (Mon,) ont étudié cette question.
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