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L'activation thermique des défauts améliorée par recombinaison dans les semi-conducteurs a été observée directement pour la première fois. Les défauts ont été produits dans le GaAs par irradiation d'électrons à 1 MeV et observés par des techniques de capacitance de jonction transitoire. Les données relient clairement le taux d'activation thermique des défauts amélioré aux processus de recombinaison électron-trou au niveau du défaut.
Lang et al. (Mon,) ont étudié cette question.