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Les transistors à effet de champ organiques (FET) connaissent une révolution dans leurs performances, en partie en raison d'une réduction de la résistance de contact et grâce à la morphologie contrôlée du film semi-conducteur organique. Une autre considération majeure est le rôle de la couche diélectrique dans la détermination des propriétés de transport. La technique de génération de deuxième harmonique induite par un champ électrique transitoire (EFISHG) permet de visualiser la dynamique des porteurs dans la région de canal d'un FET en capturant le mouvement de la polarisation diélectrique induite. Un système d'imagerie microscopique utilisant un laser femtoseconde à large bande et un agencement de compensation d'impulsions est construit pour l'imagerie de l'EFISHG transitoire à partir de FET organiques par impulsions de laser et de tension synchronisées. En faisant varier la couche diélectrique dans les FET organiques comprenant de la pentacène et un polymère conjugué donneur-accepteur comme couches semi-conductrices, nous montrons que les images EFISHG fournissent une estimation précise de la mobilité des porteurs tout en fournissant des informations sur la formation du canal et la distribution du champ électrique dans la région canal. Nous corrélons en outre les effets de charge de l'interface observés dans l'EFISHG à la densité de pièges d'interface obtenue par capacitance-tension et conductance-tension à partir de diodes métalliques-insulatrices-semi-conductrices.
Bhattacharya et al. (jeu) ont étudié cette question.